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电子元器件详细资料 » IC[28699] » SI4896DY-T1-E3
型号:SI4896DY-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)80V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C16.5 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs41nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.56W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI4896DY-T1-E3相关型号

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